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半导体刻蚀工艺的优缺点是什么? - 知乎 半导体刻蚀工艺的优缺点是什么? Via first、Trench first、partical Via first、partical trench first工艺的优缺点? 显示全部 关注者 2 被浏览
channel、ditch、trench有什么区别? - 知乎 14 Oct 2020 · A ditch is wider than it is deep |___________| A trench is the opposite | | | | |_____| both of them are mostly found in the ground. channel has multiple meanings ...
Dry etch-plasma相关 - 知乎 Dry etch常见profile类型、产生原理及相关改善方法 Dry etch常见profile类型、产生原理及相关改善方法 写在前面 Dry etch工艺过程中,我们所需传递的pattern多为line、trench、hole等。 一般 …
如何评价服装品牌巴宝莉? - 知乎 切尔西版型 - 长款 Heritage Trench 风衣 然而,制作一件Trench风衣,需要上百道工序的精心制作——它由 Thomas Burberry 先生于 1879 年发明的密织斜纹防面料——棉质嘎巴甸材质精裁而 …
如何选购 Burberry 男士风衣? - 知乎 谢 吴嘉臻 邀。 答之前先更正一下 如何选购 Burberry 的风衣? 排第一的答案的里的错误。排第一的 cinyi 的答案说“burberry风衣目前有四个系列,分别是 prorsum, heritage …
Trench MOSFET详细介绍? - 知乎 Trench MOSFET是一种通过在外延硅内部刻蚀形成沟槽结构以降低导通电阻的半导体器件。
集成电路半导体制造过程的金属化工序是否存在电镀环节? - 知乎 谢邀。 一般 12寸晶圆的器件互连金属层的双大马士革结构会采用铜电镀工艺,一层金属的大致工艺如下: CVD制作金属层间的绝缘层,例如high K和low K介质 采用光刻+干法刻蚀制作用于容 …
平面型VDMOS,trench mos还有sgt mos他们的工艺流程还有各自 … 2.Trench工艺,俗称潜沟槽工艺,就好比我们农村的楼房,需要挖地基到一定深度,同样的使用面积所需要的地皮少,相比平面工艺,成本略低, 同电压平台,内阻略小,电流大,输出能力 …
IGBT Vth开启电压增加,饱和压降会增加吗? - 知乎 22 Apr 2023 · 对于trench型IGBT,VTH增加时,VCEAT的变化也不一定。 相比平面型IGBT,trench型IGBT采用了更加复杂的结构,包括多个p-n结、细小沟槽结构等,因此 …
《巨齿鲨 2 》全球票房突破 3.5 亿美元,如何评价这一票房成绩? … 巨齿鲨2 从商业的角度可能还真没人想象中的那么扑该,1.29亿美刀成本全球3.75亿美刀票房(作为参考,变7成本2亿全球4.3亿大扑,夺宝奇兵5成本2.9亿全球3.8亿特扑, 蚁人3 成本1.5亿 …