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知乎盐选 | 7.1 半导体光电器件 ② 在图 7.1(b)中,由 p 区向 n + 区扩散空穴的浓度远小于由 n + 区向 p 区扩散的电子浓度,耗尽区与中性 p 区中注入电子的复合过程导致光子自发辐射。复合过程主要发生在耗尽区内,并 …
什么是第三代半导体?和第一代第二代有什么优势? - 知乎 尤其是硅,是所有逻辑器件的基础,我们的CPU和GPU算法的实现离不开硅。 2.砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是第二代半导体,第二代半导体主要用于移动通信、卫星通信和导 …
直接带隙和间接带隙有什么区别? - 知乎 1962年,近红外光,成为首个商用二极管光源,中心波长约为890nm,采用砷化镓(GaAs)。 1960年代,红光二极管,也开始大量商用,主要用在计算器和腕表上,采用磷砷化 …
请问cmos与mmic的关系? - 知乎 2007年之前,射频部分无法使用硅材料制做,主要采用砷化镓(GaAs)。 砷化镓工艺的材料成本和制造成本都比较高,对于生产线的要求也很高。
有没有老师能讲一下MQW发光原理? - 知乎 一般MQW是本征材料,是如何发光的啊,靠本征激发吗?
什么是「服务型」游戏(GaaS)? - 知乎 GaaS(服务型游戏)其实并不算一个新鲜概念,本意指的是一种游戏商业模式:在产品本体上线后,在后续的运营中不断推出更新内容,刺激玩家一直游玩并消费,将游戏从传统的「一次性 …
半导体的直接带隙和间接带隙区别是什么? - 知乎 28 Mar 2025 · 半导体的 直接带隙 和 间接带隙 的主要区别在于电子跃迁时动量的变化情况。 在直接带隙半导体中,价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点,电子跃迁到导带时,只 …
GaN与GaAs芯片各自的优缺点是什么呢? - 知乎 GaAs前景依然 GaAs供应链调研显示,IDM、Epihouse(外延公司)和代工厂在2021第1季度报告了强劲的收入,直接反映了市场动态。 随着5G手机从2020第4季度在智能手机市场的渗透不 …
异质结导致的二维电子气为什么可以显著提高迁移率? - 知乎 由于GaAs导带底比Ga1-xAlxAs的导带底低,高掺杂的n型层Ga1-xAlxAs中的电子转移到GaAs的导带中,使高纯的GaAs具有高电子浓度。 而高纯的GaAs中电离杂质散射中心很少,故在低温 …
什么是 CRPG?有哪些游戏可以被分类至 CRPG? - 知乎 电子游戏始祖的诞生与复兴始末:CRPG 的涅槃重生 —— 一部简约的 CRPG 入门指南。 CRPG(computer role-playing game)的历史就是电子游戏的崛起之路。因为 RPG 游戏最初 …